項目背景：
碳化硅外延設備
碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片
在晶體生長和晶片加工過程中，不可避免地會在表面或近表面產(chǎn)生缺陷，導致襯底的材料質(zhì)量和表面質(zhì)量下降，直接影響制得器件的性能。
而外延局的生長可以消除許多缺陷，使晶格排列整齊，表面形貌得到改觀。
外延片作為半導體原材料，位于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。
襯底材料上通過CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）設備進行晶體外延生長、制成外延片。
技術難點:
熟悉掌握外延工藝
精準控溫
精準壓力控制
精準流量控制
工藝菜單穩(wěn)定運行
