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碳化硅SiC外延

碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料的核心。 相較于前兩代材料,碳化硅具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能,具有較高的導(dǎo)熱率、熔點(diǎn)等。 基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于汽車(chē)、充電設(shè)備、便攜式電源、通信設(shè)備、機(jī)械臂、飛行器等多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。 碳化硅材料的特性決定了它將會(huì)逐步取代傳統(tǒng)硅基,打開(kāi)巨大的市場(chǎng)空間。

項(xiàng)目背景:

碳化硅外延設(shè)備

碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的單晶薄膜(外延層)的碳化硅片

在晶體生長(zhǎng)和晶片加工過(guò)程中,不可避免地會(huì)在表面或近表面產(chǎn)生缺陷,導(dǎo)致襯底的材料質(zhì)量和表面質(zhì)量下降,直接影響制得器件的性能。

而外延局的生長(zhǎng)可以消除許多缺陷,使晶格排列整齊,表面形貌得到改觀(guān)。

外延片作為半導(dǎo)體原材料,位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游,是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。

襯底材料上通過(guò)CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)設(shè)備進(jìn)行晶體外延生長(zhǎng)、制成外延片。

技術(shù)難點(diǎn):

  1. 熟悉掌握外延工藝

  2. 精準(zhǔn)控溫

  3. 精準(zhǔn)壓力控制

  4. 精準(zhǔn)流量控制

  5. 工藝菜單穩(wěn)定運(yùn)行



逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車(chē)新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線(xiàn)控制系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)定制

逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車(chē)新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線(xiàn)控制系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)定制

逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車(chē)新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線(xiàn)控制系統(tǒng)。

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