MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200℃,用直流加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長區(qū)。
逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。
逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。
逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。